【今日点击】工業和信息化部9日印發《首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024 年版）》通知，電子專用裝備列表包括國產氟化氪光刻機（110nm），以及氟化氬光刻機（65nm）。被業內認為是國產深紫外線（DUV）光刻機的里程碑式進步。
「IT之家」昨日報道，中國首台（套）重大技術裝備是指國內實現重大技術突破、擁有知識產權、尚未取得明顯市場業績的裝備產品，包括整機設備、核心系統和關鍵零部件等。
工信部目錄顯示，在積體電路生產裝備，其中一項是「氟化氬光刻機」（DUV光刻機），核心技術指標是「晶圓直徑300mm，照明波長248nm，分辨率≦65nm，套刻≦8nm」。這代表該國產DUV可生產8納米及以下晶片。國產DUV光刻機的良率則未見提及。
報道指出，國產DUV光刻機雖與荷蘭ASML光刻機存在代差，至少已填補空白，可控可用，期待之後能研發出更先進的極紫外線（EUV）光刻機。中國若實現國產8納米及以下光刻機，未來絕大多數晶片製造，將不受制於ASML。截至目前，暫無中國官方與廠商宣布這項消息。
美國荷蘭收緊半導體設備出口管制
美國5日宣布收緊製造先進半導體設備所需機器的出口管制，荷蘭政府隔天跟進，宣布擴大限制半導體製造設備出口。
