【熊猫时报讯】晶圆代工大厂台积电和三星的竞争，现由逻辑晶片扩及记忆体市场。台积电这次重返记忆体市场，瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代记忆体，因传输速度比一般快闪记忆体快上万倍，是否引爆记忆体产业的新潮流，值得密切关注。
台积电技术长孙元成日前在台积电技术论坛，首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取记忆体)和eRRAM(嵌入式电阻式记忆体)分别订明后年进行风险性试产，主要採用22奈米製程，这将是台积电因应物联网、行动装置、高速运算电脑和智慧汽车等四领域所提供效能更快速和耗电更低的新记忆体。
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台积电次世代记忆体布局 图/经济日报提供
这也是台积电共同执行长魏哲家向法人表达不会跨足标准型记忆体，不会角逐东芝分割成立半导体公司股权后，台积电再次说明记忆体的战策布局，将瞄准效能比一般DRAM和储存型快闪记忆体(NAND
Flash)的MRAM和RRAM。
稍早三星电子也在一场晶圆厂商论坛中发表该公司所研发的MRAM。三星目前也是全球中率先可提供此次世代记忆体产品的记忆体厂，产品技术时程大幅领先台积电，三星的MRAM并获恩智浦导入。
据了解，台积电早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代记忆体研发，多年来因难度高，商业化和竞争力远不如DRAM，导致多家厂商都都仅限于研发。
记忆体业者表示，次世代记忆体中，投入研发的厂商主要集中MRAM、RRAM及相变化记忆体(PRAM)等三大次世代记忆体，其中以MRAM的处理速度最快，但也是最难量产的记忆体类型。
不过，在DRAM和NAND
Flash製程已逼近极限，包括无人车、AI人工智慧、高阶智慧型手机和物联网等要求快速演算等功能，是台积电认为商机即将成熟并决定在2018及2019年提供相关嵌入及整合其他异质晶片技术，进行商业化量产。
（经济日报）
